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aos美國(guó)萬(wàn)代與各種類型芯片之間的區(qū)別
作者：admin 發(fā)布時(shí)間：2022-02-15 10:24:17 點(diǎn)擊量：
中國(guó)專利獎(jiǎng)是我國(guó)專利范疇的最高獎(jiǎng)項(xiàng)，aos美國(guó)萬(wàn)代是我國(guó)唯一的專門對(duì)頒發(fā)專利權(quán)的發(fā)明創(chuàng)造給予獎(jiǎng)勵(lì)的政府部門獎(jiǎng)。由世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織與國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局一起組織評(píng)選，在國(guó)際上具有廣泛的影響力，獲獎(jiǎng)專利立異質(zhì)量高、運(yùn)用效益好、示范效應(yīng)強(qiáng)。本屆中國(guó)專利獎(jiǎng)評(píng)選，aos美國(guó)萬(wàn)代實(shí)現(xiàn)了獲獎(jiǎng)數(shù)量與質(zhì)量雙豐收。
現(xiàn)有芯片各種類型之間的不同以及在具體應(yīng)用中如何挑選適宜的芯片?
實(shí)驗(yàn)室中常用的分立芯片或軸向引線芯片，然而再對(duì)分立芯片與薄膜或厚薄電阻網(wǎng)絡(luò)從價(jià)格和功能方面進(jìn)行比較。
最常用的類型有三種：組成碳膜芯片或碳膜芯片、金屬膜芯片和線繞芯片。
組成碳膜芯片或碳膜芯片(總稱碳質(zhì)芯片)用于初始精度和隨溫度改變的穩(wěn)定性以為不重要的一般電路。
典型應(yīng)用包括晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管偏置電路中集電極或發(fā)射極的負(fù)載電阻，充電芯片的放電電阻以及數(shù)字邏輯電路中的上拉電阻或下拉電阻。
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